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產品簡介
美國SIMCO思美高離子發生器，具有廣泛可調性的調制脈沖技術 & ISO 14644-12 離子化Simco-Ion, 技術集團的 Model 5635M AeroBar MP 離子化棒專為消除半導體和其他超凈制造過程中所需的快速放電時間、低擺動電壓和精密平衡而設計，但在這些過程中不允許暴露金屬表面。
美國SIMCO思美高離子發生器
Simco-Ion, 技術集團的 Model 5635M AeroBar MP 離子化棒專為消除半導體和其他超凈制造過程中所需的快速放電時間、低擺動電壓和精密平衡而設計，但在這些過程中不允許暴露金屬表面。AeroBar 使用 MP 技術，結合高頻率正弦波與調制脈沖（MP）提供高離子輸出和傳輸。這項突破性技術使 AeroBar 可以在離晶圓150毫米以內安裝。MP 技術，結合超凈硅發射點和精密調整，提供 ISO 14644-12 離子化（0.01 µm 顆粒或納米顆粒）和 ISO 14644 Class 1（0.1 µm 顆粒）的清潔度，對于更小的技術節點至關重要。
ISO 14644-12 (0.01 µm粒子) 離子化和
ISO 14644 1級 (0.1 µm粒子) 清潔度
調制脈沖技術
無金屬設計 “M"
出色的橫向均勻性
低場電壓
氣輔助能力
可選軟件，界面易于使用，具有廣泛的可調性
報警輸出信號
美國SIMCO思美高離子發生器
| 輸入電壓 | 輸入：24 VDC ±10% 電源輸入 RJ-45；0.7A（最-大） 輸出：13.5 kV 峰峰值（最-大），可調 |
|---|---|
| 排放 | 在無空氣輔助的情況下，15秒內±1000-100V（典型值），在發射器中心點下方24英寸處，Vp-p擺動為80 |
| 余額 | <在受控環境中于18英寸距離測量為±35伏 |
| 離子發射 | 調制脈沖 (MP) 技術 |
| 發射器 | ISO 14644-1 1類單晶硅 |
| 潔凈室等級 | ISO 14644-1 (0.1 微米顆粒) 和擴展 ISO 1 級清潔度 (10 納米顆粒或納米顆粒)，使用 45-50% 輸出電壓設置和帶有單晶硅發射器的 OpenJet 噴嘴 |
| 維度 | 3.1英寸高 x 1.3英寸寬 x 13.8 / 17.7 / 23.6 / 33.5 / 39.3 / 45.3 / 51.2 / 57.1 / 63.0 / 69.0 / 74.8 / 80.7 / 86.6 / 92.5英寸長 (7.8 x 3.4 x 35 / 45 / 60 / 85 / 100 / 115 / 130 / 145 / 160 / 175 / 190 / 205 / 220 / 235 厘米) |
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